Вышедшие номера
Исследования структуры дефектов в кристаллах In4Se3 методом малоуглового рассеяния нейтронов
Гарамус В.М.1,2, Пилат Я.П.2, Савчин В.П.2, Исламов А.Х.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
2Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 23 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

С помощью метода малоуглового рассеяния нейтронов исследован слоистый полупроводник In4Se3. Обнаружено присутствие в образцах неоднородностей коллоидного размера, что объясняется выпадением индия. Отжиг приводит к уменьшению концентрации неоднородностей. Моделирование системы ансамблем первичных неоднородностей сферической формы показало, что в одном кластере прямоугольной сверхрешетки (2-2-6) находятся 24 первичных неоднородности радиуса 13.5±1.5 Angstrem и расстояние между ними составляет 70.9±1.5 Angstrem.