Вышедшие номера
Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате
Голицына О.М.1, Камышева Л.Н.1, Дрождин С.Н.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Обнаружено немонотонное во времени поведение температурных зависимостей проводимости сегнетоэлектрического триклицинсульфата после облучения кристалла малыми дозами рентгеновского излучения. Такое поведение предположительно связано с образованием двух типов радиационных дефектов, имеющих разное время жизни.
  1. Е.В. Пешиков. Действие радиации на сегнетоэлектрики. Фан, Ташкент (1972). 136 с
  2. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с
  3. Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин, О.М. Сердюк. ЖТФ 58, 8, 1607 (1988)
  4. Л.Н. Камышева, О.М. Голицына, С.Н. Дрождин, А.Д. Масликов, А.Б. Барбашина. ФТТ 37, 2, 388 (1995)
  5. А.П. Демьянчук. Автореф. канд. дис. Киев (1976). 28 с
  6. Л.И. Донцова, Н.А. Тихомирова, Л.А. Шувалов. Кристаллография 39, 1, 158 (1994)
  7. О.М. Сердюк, Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин, А.Б. Барбашина. ФТТ 30, 2, 540 (1988)
  8. С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, А.М. Саввинов, А.И. Маслаков. ФТТ 28, 8, 2541 (1986)
  9. Л.И. Донцова. Автореф. докт. дис. Воронеж (1991). 36 с
  10. B. Hilcher, M. Michalczyk. Ferroelectrics 22, 721 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.