Исследована импульсная проводимость кристалла CsI-Tl с концентрацией Tl⁺ N=8·10¹⁷ cm^-3 при возбуждении электронным пучком (0.2 MeV, 50 ps, 10²-10⁴ A/cm²). Показано, что амплитуда импульса тока проводимости падает почти на порядок по сравнению с "чистыми" кристаллами CsI, облучаемыми в аналогичных условиях. При этом сокращается время релаксации тока проводимости до tau=100 ps. Следовательно, в условиях эксперимента, время жизни электронов в зоне проводимости контролируется захватом на Tl⁺-центры. Определено сечение захвата электрона Tl⁺-центром sigma=7·10^-16 cm², что по порядку величины совпадает с оценками для сечения захвата на нейтральный центр.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.