Вышедшие номера
Релаксация проводимости CsI--T l после возбуждения субнаносекундными импульсами электронов
Адуев Б.П.1, Швайко В.Н.1
1Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Исследована импульсная проводимость кристалла CsI-Tl с концентрацией Tl+ N=8·1017 cm-3 при возбуждении электронным пучком (0.2 MeV, 50 ps, 102-104 A/cm2). Показано, что амплитуда импульса тока проводимости падает почти на порядок по сравнению с "чистыми" кристаллами CsI, облучаемыми в аналогичных условиях. При этом сокращается время релаксации тока проводимости до tau=100 ps. Следовательно, в условиях эксперимента, время жизни электронов в зоне проводимости контролируется захватом на Tl+-центры. Определено сечение захвата электрона Tl+-центром sigma=7·10-16 cm2, что по порядку величины совпадает с оценками для сечения захвата на нейтральный центр.
  1. Б.П. Адуев, Г.М. Белокуров, В.Н. Швайко. ФТТ 37, 8, 2537 (1995)
  2. Б.П. Адуев, А.В. Иголинский, В.Н. Швайко. ФТТ 38, 3, 947 (1996)
  3. Э.Д. Алукер, Р.Г. Дейч, Г.С. Думбадзе. Письма в ЖТФ 23, 4, 2132 (1988)
  4. Э.Д. Алукер, Р.Г. Дейч, Г.С. Думбадзе. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук 17, 4 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.