Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронный парамагнитный резонанс акцепторов глубокого бора в кристаллах 4H-SiC и 3C-SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Обнаружены и исследованы спектры ЭПР глубокого бора в кристаллах 4H-SiC и 3C-SiC. В кристаллах 4H-SiC наблюдались сигналы ЭПР глубокого бора для двух позиций: квазикубической k и гексагональной h. В обоих случаях симметрия центров глубокого бора близка к аксиальной вдоль c-оси кристалла и анизотропия g-фактора примерно на порядок больше по сравнению с мелким бором. В кристалле 3C-SiC симметрия центров глубокого бора также близка к аксиальной с осью вдоль одного из четырех направлений < 111>. В качестве модели глубокого бора с акцепторными свойствами предложена структура BSi-v C, где Bsi - бор, замещающий кремний, v C - вакансия углерода, при этом в кристалле 4H-SiC направление BSi-v C совпадает с гексагональной осью кристалла как для k, так и для h позиций. В кубическом кристалле 3C-SiC имеются четыре эквивалентных центра глубокого бора, представляющих собой пары BSi-v C с направлением связи вдоль одной из четырех осей < 111> кристалла.
- G. Pensl, R. Helbig. Festkoerperprobleme: Advances in Solid State Physics / Ed. U. Roessler. Vieweg, Braunschweig (1990)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП 19, 69 (1985)
- W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning. Appl. Phys. A51, 231 (1990)
- В.С. Балландович, Е.Н. Мохов. ФТП 29, 370 (1995)
- P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 11, 489 (1996); П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 5, 1446 (1996)
- P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 100, 371 (1996)
- P.G. Baranov. Defect and Diffusion Forum 148--149, 129 (1997)
- Н.Г. Романов, В.А. Ветров, П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. Письма в ЖТФ 11, 483 (1985)
- P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.A. Vetrov, V.G. Oding. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. E.M. Anastassakis and J.D. Joannopoulos. World Scientific. Singapore (1990). V. 30. P. 1855
- P.G. Baranov, N.G. Romanov. Appl. Mag. Res. 2, 361 (1991); P.G. Baranov, N.G. Romanov. Mat. Sci. Forum 83--87, 1207 (1992).
- Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. Techn. 14, 729 (1979)
- Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Diffusion and Solubility of Impurities in Silicon Carbide: Silicon Carbide-1973. South Carolina Univ. Press. (1974). P. 508--519
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
