Вышедшие номера
Фотоэлектронная спектроскопия E'-центров в кристаллическом и стеклообразном диоксиде кремния
Зацепин А.Ф.1, Бирюков Д.Ю.1, Кортов В.С.1
1Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
Email: zats@dpt.ustu.ru
Поступила в редакцию: 24 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

На примере радиационных E'-центров в SiO2 рассмотрены некоторые возможности применения эффекта нестационарной фотоэлектронной эмиссии (Optically stimulated electron emission --- OSEE) для спектроскопии возбужденных состояний точечных дефектов в диэлектриках. Получены и исследованы спектральные зависимости OSEE кристалла alpha-кварца и кварцевого стекла, облученных электронами (10 MeV). Установлено, что в кристаллической и стеклообразной модификациях SiO2 объемные E'-центры являются доминирующими эмиссионно-активными дефектами. В стеклообразом SiO2 дополнительно обнаружены поверхностные E's(1)-центры. Предложена модель энергетической структуры E'-центров, объясняющая отсутствие люминесценции и учитывающая наличие двух каналов безызлучательной релаксации (внутрицентрового и ионизационного). В рамках предложенной модели обоснован механизм фототермического распада E'-центров, определены активационные барьеры и квантовые выходы их ионизации. Для объемных и поверхностных E'-центров в стеклообразном SiO2 получены значения эмиссионных и спектрально-кинетических параметров, указывающих на идентичность атомных конфигураций возбужденных состояний данных дефектов. Работа выполнена в рамках проекта INTAS (N 01-0458) при поддержке US CRDF (N REC-005, EK-005-X1). PACS: 79.60.Bm, 71.23.-k
  1. Defects in SiO-=SUP=--=/SUP=--=SUB=-2-=/SUB=- and Related Dielecrics: Science and Technology / Eds G. Paccioni, L. Skuja, D.L. Griscom. Dordrect, Kluwer (2000). 632 p
  2. Structure and Imperfections in Amorphous and Cristallyne Silicon Dioxide / Eds R.A.B. Devine, J.P. Duraud, E. Dooryhe. John Wiley \& Sons (2000). 528 p
  3. L.N. Skuja. J. Non-Cryst. Sol. 239, 16 (1998)
  4. С.М. Бреховских, В.Л. Тюльнин. Радиационные центры в неорганических стеклах. Энергоатомиздат, М. (1988). 200 с
  5. Д.Ю. Бирюков, А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов. ФХС 27, 4, 503 (2001)
  6. R.A. Weeks. J. Appl. Phys. 27, 1376 (1956)
  7. F.J. Feigl, W.B. Fowler. Solid State Commun. 14, 3, 225 (1974)
  8. J.K. Rudra, W.B. Fowler. Phys. Rev. B 35, 15, 8223 (1987)
  9. K.C. Snyder, W.B. Fowler. Phys. Rev. B 48, 13 238 (1993)
  10. D.L. Griscom. Phys. Rev. B 22, 4192 (1980)
  11. А.А. Бобышев, В.А. Радциг. ФХС 14, 4, 501 (1988)
  12. В.А. Радциг. Хим. физика 14, 8, 125 (1995)
  13. E.H. Poindexter, W.L. Warren. J. Electrochem. Soc. 142, 2508 (1995)
  14. В.С. Кортов, В.А. Губанов, А.Ф. Зацепин, Г.Б. Черлов, С.П. Фрейдман. Изв. АН СССР. Сер. физ. 49, 9, 1841 (1985)
  15. А.Ф. Зацепин, В.Г. Мазуренко, В.С. Кортов, В.А. Калентьев. ФТТ 30, 11, 3472 (1988)
  16. А.Ф. Зацепин, В.И. Ушкова, В.А. Калентьев. Поверхность. Физика, химия, механика 6, 100 (1990)
  17. Y. Kawaguchi, S. Yamamoto. Rad. Protection Dosimetry 65, 1--4, 409 (1996)
  18. В.А. Закревский. ФХС 14, 2, 256 (1988)
  19. G. Pacchioni, G. Ierano, A.M. Marques. Phys. Rev. Lett. 81, 2, 377 (1998)
  20. A.F. Zatsepin, D.Yu. Biryukov, V.S. Kortov. Latv. J. Phys. Techn. Sci. 6, 83 (2000)
  21. В.С. Кортов, А.Ф. Зацепин, Д.Ю. Бирюков. ФСЭЭ-спектроскопия фотоактивных дефектов поверхности материалов. Методические аспекты. УГТУ-УПИ, Екатеринбург (2001). 51 с
  22. Х.Ф. Кяэмбре, А.И. Белкинд, В.В. Бичевин, А.А. Каск. РЭ 14, 12, 2216 (1969)
  23. А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, Ю.В. Щапова. РЭ 37, 2, 326 (1992)
  24. I.A. Weinstein, A.F. Zatsepin, V.S. Kortov. Latv. J. Phys. Techn. Sci. 6, 68 (2000)
  25. В.А. Губанов, А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, С.П. Фрейдман, Г.Б. Черлов. ЖПС 49, 1, 97 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.