Издателям
Вышедшие номера
Магнитные и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированных иттербием
Баграев Н.Т.1, Романов В.В.2, Савельев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: impurity.dipole@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Взаимосвязанность магнитных и оптических свойств кристаллов фосфида индия, легированных иттербием, исследуется в условиях локального магнитоупорядочения и компенсации спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием. Анализ полученных температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости и спектров фотолюминесценции показывает, что примесный магнетизм кристаллов InP(Yb) обусловлен наличием антиферроупорядоченных квазимолекул Yb2O3, которые переходят в ферроупорядоченное состояние вблизи мелких доноров, захватывая на себя донорный электрон, либо на конкурентной основе образуют области спонтанной намагниченности --- связанные спин-поляроны. Причем в обоих случаях значения констант s-f-обмена, определенные из температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости, аномально велики, по-видимому, из-за эффективной компенсации спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием. Кроме того, вследствие s-f-обмена в запрещенной зоне фосфида индия формируется обменно-связанный глубокий уровень ферроупорядоченной квазимолекулы Yb2O3, возникновение которого стимулирует Оже-рекомбинацию неравновесных носителей, ответственную за усиление внутрицентровой фотолюминесценции ионов Yb3+. PACS: 75.20.Ck, 75.30.Cr, 78.20.-e
  • С.В. Вонсовский. Магнетизм. Наука, М. (1971). 1032 с
  • Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979). 432 с
  • В.Ф. Мастеров. ФТП 18, 3(1984)
  • S.T. Pantelides. In: Deep centers in semiconductors / Ed. by S.T. Pantelides. Cordon \& Breach, N.Y. (1986). P. 3
  • N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Mat. Sci. Forum 10--12, 435 (1986)
  • Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ 92, 968 (1987)
  • Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов. ЖЭТФ 81, 2160 (1981)
  • Н.Т. Баграев. Изв. АН СССР. Сер. физ. 47, 2331 (1983)
  • В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. ФТТ 25, 1435 (1983)
  • В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП 16, 173 (1982)
  • H. Ennen, U. Kaufmann, G. Pomrenke, J. Schneider, J. Windscheif, A. Axmann. J. Cryst. Growth 64, 165 (1983)
  • H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys. 57, 2182 (1985)
  • G. Aszodi, J. Weber, Ch. Uihlein, L. Pu-lin, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Schneider, J. Windscheif. Phys. Rev. B 31, 7767 (1985)
  • K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei. Appl. Phys. Lett. 50, 977 (1987)
  • В.А. Касаткин, В.П. Савельев. ФТП 18, 1634 (1984)
  • I.D. Maat-Gersdorf, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan, P.C.M. Christianen, J.C. Maan. Mat. Res. Soc.: Rare earth doped semiconductors II / Ed. by G. Pomrenke. St.-Francisco (1996). Vol. 422. P. 161
  • L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovskii, A.T. Gorelenok, N.M. Shmidt. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques / Eds M. Levinstein, M. Shur. John Wiley \& Sons Inc., N.Y. (1997). P. 239
  • Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов, А.А. Лебедев, П. Юсупов. Письма в ЖЭТФ 32, 212 (1980)
  • Н.Т. Баграев, Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. ФТП 30, 1855 (1996)
  • В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, И.Л. Лихолит, И.А. Терлецкий. ФТП 25, 830 (1991)
  • C.P. Bean, J.D. Livingston. J. Appl. Phys. Suppl. 30, 120S (1959)
  • С.М. Рябченко, Ю.Г. Семенов. ФТТ 26, 3347 (1984)
  • A.V. Kavokin, K.V. Kavokin. Semicond. Sci. Technol. 8, 191 (1993)
  • D. Heiman, P.A. Wolf, J. Warnock. Phys. Rev. B 27, 4848 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.