Вышедшие номера
Магнитные и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированных иттербием
Баграев Н.Т.1, Романов В.В.2, Савельев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: impurity.dipole@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Взаимосвязанность магнитных и оптических свойств кристаллов фосфида индия, легированных иттербием, исследуется в условиях локального магнитоупорядочения и компенсации спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием. Анализ полученных температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости и спектров фотолюминесценции показывает, что примесный магнетизм кристаллов InP(Yb) обусловлен наличием антиферроупорядоченных квазимолекул Yb2O3, которые переходят в ферроупорядоченное состояние вблизи мелких доноров, захватывая на себя донорный электрон, либо на конкурентной основе образуют области спонтанной намагниченности --- связанные спин-поляроны. Причем в обоих случаях значения констант s-f-обмена, определенные из температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости, аномально велики, по-видимому, из-за эффективной компенсации спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием. Кроме того, вследствие s-f-обмена в запрещенной зоне фосфида индия формируется обменно-связанный глубокий уровень ферроупорядоченной квазимолекулы Yb2O3, возникновение которого стимулирует Оже-рекомбинацию неравновесных носителей, ответственную за усиление внутрицентровой фотолюминесценции ионов Yb3+. PACS: 75.20.Ck, 75.30.Cr, 78.20.-e
  1. С.В. Вонсовский. Магнетизм. Наука, М. (1971). 1032 с
  2. Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979). 432 с
  3. В.Ф. Мастеров. ФТП 18, 3(1984)
  4. S.T. Pantelides. In: Deep centers in semiconductors / Ed. by S.T. Pantelides. Cordon \& Breach, N.Y. (1986). P. 3
  5. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Mat. Sci. Forum 10--12, 435 (1986)
  6. Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ 92, 968 (1987)
  7. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов. ЖЭТФ 81, 2160 (1981)
  8. Н.Т. Баграев. Изв. АН СССР. Сер. физ. 47, 2331 (1983)
  9. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. ФТТ 25, 1435 (1983)
  10. В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП 16, 173 (1982)
  11. H. Ennen, U. Kaufmann, G. Pomrenke, J. Schneider, J. Windscheif, A. Axmann. J. Cryst. Growth 64, 165 (1983)
  12. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys. 57, 2182 (1985)
  13. G. Aszodi, J. Weber, Ch. Uihlein, L. Pu-lin, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Schneider, J. Windscheif. Phys. Rev. B 31, 7767 (1985)
  14. K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei. Appl. Phys. Lett. 50, 977 (1987)
  15. В.А. Касаткин, В.П. Савельев. ФТП 18, 1634 (1984)
  16. I.D. Maat-Gersdorf, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan, P.C.M. Christianen, J.C. Maan. Mat. Res. Soc.: Rare earth doped semiconductors II / Ed. by G. Pomrenke. St.-Francisco (1996). Vol. 422. P. 161
  17. L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovskii, A.T. Gorelenok, N.M. Shmidt. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques / Eds M. Levinstein, M. Shur. John Wiley \& Sons Inc., N.Y. (1997). P. 239
  18. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов, А.А. Лебедев, П. Юсупов. Письма в ЖЭТФ 32, 212 (1980)
  19. Н.Т. Баграев, Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. ФТП 30, 1855 (1996)
  20. В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, И.Л. Лихолит, И.А. Терлецкий. ФТП 25, 830 (1991)
  21. C.P. Bean, J.D. Livingston. J. Appl. Phys. Suppl. 30, 120S (1959)
  22. С.М. Рябченко, Ю.Г. Семенов. ФТТ 26, 3347 (1984)
  23. A.V. Kavokin, K.V. Kavokin. Semicond. Sci. Technol. 8, 191 (1993)
  24. D. Heiman, P.A. Wolf, J. Warnock. Phys. Rev. B 27, 4848 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.