Вышедшие номера
Определение шероховатостей гетерограниц по спектрам фототока короткопериодных сверхрешеток AlAs/GaAs
Альперович В.Л.1, Мошегов Н.Т.1, Попов В.В.1, Терехов А.С.1, Ткаченко В.А.1, Торопов А.И.1, Ярошевич А.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Методом фототоковой спектроскопии исследован характер шероховатостей гетерограниц в короткопериодных сверхрешетках (AlAs)m/(GaAs)n (m=3-5, n=10-13), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Образование мини-зон уширяет оптические спектры сверхрешеток по сравнению с изолированными квантовыми ямами, поэтому для анализа совершенства границ использован распад мини-зон на серию дискретных уровней Ванье-Штарка в параллельном оси сверхрешетки электрическом поле. В спектрах фототока в электрическом поле наблюдались экситонные линии, соответствующие прямым и непрямым в пространстве переходам между уровнями Ванье-Штарка. Сопоставление экспериментальных данных с расчетом свидетельствует о том, что даже в лучших из исследованных структур наряду с монотонным изменением толщины слоев по площади присутствуют шероховатости гетерограниц высотой в один монослой и характерным латеральным размером, не превышающим 10 nm.