Вышедшие номера
Исследование закономерностей формирования пленок окиси бария на вольфрамовом острие полевыми методами
Тумарева Т.А.1, Крупина И.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

В процессе увеличения количества окиси бария на поверхности анализировались автоэмиссионные изображения, вольт-амперные характеристики (ВАХ) и электронные спектры. Обнаружено изменение эмиссионной способности системы в течение всего времени адсорбции, а также появление нелинейных ВАХ и смещение положения спектров относительно уровня Ферми вольфрама-подложки после адсорбции на поверхности окиси бария в количестве, зависящем от грани подложки. Совокупность экспериментальных данных позволяет предположить модель формирования многослойной пленки BaO на W.
  1. T.A. Tumareva. IVMC'95 Technical Digest. Portland (1995). P. 143
  2. В.А. Иванов, Т.С. Кирсанова, Т.А. Тумарева. ФТТ 23, 3, 664 (1981)
  3. Т.С. Кирсанова, Т.А. Тумарева, Б.М. Шайхин. ФТТ 11, 5, 1331 (1969)
  4. К.А. Нейгебауэр. Физика тонких пленок. Мир, М. (1967). Т. 2
  5. Дж.А. Беккер. В кн.: Катализ. Электронные явления. ИЛ, М. (1958). С. 152
  6. А.Р. Шульман, Т.С. Кирсанова, А.И. Соловьева, Д.Л. Натадзе. ДАН СССР. Сер. физ. 28, 1346 (1964)
  7. Т.А. Тумарева, В.А. Иванов, Т.С. Кирсанова, Н.В. Васильева. ФТТ 31, 2, 12 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.