Исследование закономерностей формирования пленок окиси бария на вольфрамовом острие полевыми методами
Тумарева Т.А.1, Крупина И.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
В процессе увеличения количества окиси бария на поверхности анализировались автоэмиссионные изображения, вольт-амперные характеристики (ВАХ) и электронные спектры. Обнаружено изменение эмиссионной способности системы в течение всего времени адсорбции, а также появление нелинейных ВАХ и смещение положения спектров относительно уровня Ферми вольфрама-подложки после адсорбции на поверхности окиси бария в количестве, зависящем от грани подложки. Совокупность экспериментальных данных позволяет предположить модель формирования многослойной пленки BaO на W.
- T.A. Tumareva. IVMC'95 Technical Digest. Portland (1995). P. 143
- В.А. Иванов, Т.С. Кирсанова, Т.А. Тумарева. ФТТ 23, 3, 664 (1981)
- Т.С. Кирсанова, Т.А. Тумарева, Б.М. Шайхин. ФТТ 11, 5, 1331 (1969)
- К.А. Нейгебауэр. Физика тонких пленок. Мир, М. (1967). Т. 2
- Дж.А. Беккер. В кн.: Катализ. Электронные явления. ИЛ, М. (1958). С. 152
- А.Р. Шульман, Т.С. Кирсанова, А.И. Соловьева, Д.Л. Натадзе. ДАН СССР. Сер. физ. 28, 1346 (1964)
- Т.А. Тумарева, В.А. Иванов, Т.С. Кирсанова, Н.В. Васильева. ФТТ 31, 2, 12 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук