Издателям
Вышедшие номера
Неизотермическая релаксация и электроперенос в монокристаллах Ca3Ga2Ge4O14
Носенко А.Е.1, Шевчук В.Н.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 4 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Впервые изучены фото- и электропроводность, токи термостимулирванной поляризации и деполяризации, диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери нецентросиммтрических кристаллов Ca3Ga2Ge4O14 структурного типа тригонального кальций-галлогерманата (КГГ) в интервале температур 100--700 K в воздушной среде и в вакууме. Особенности температурного поведения КГГ связываются, в частности, с влиянием электрически активных дефектов и частичного разупорядочения катионной подрешетки структуры кристалла, обусловливающих существование полярных образований (диполей) нескольких сортов. Определены некоторые параметры электропереноса и электрически активных дефектов, вызывающих эффекты поляризации и релаксации зарядов. Делается вывод о реализации дипольной релаксации в КГГ как в новом представителе класса материалов, в котором реориентация диполей как системы подвижных локальных искажений структуры существенно влияет на физические свойства.
  1. A.A. Kaminskii, E.L. Belokoneva, B.V. Mill, Yu.V. Pisarevskii, S.E. Sarcisov, L.M. Silvestrova, A.V. Butashin, G.G. Khodzhaguan. Phys. Stat. Sol. (a) 86, 1, 345 (1984).
  2. А.П. Войтович, А.Е. Носенко, А.Г. Базылев, В.С. Клинов, В.В. Кравчишин, Р.Е. Лещук. ЖПС 59, 4, 705 (1989)
  3. J. Azkargorta, I. Iparraguirre, R. Balda, J. Fernandez, A. Kaminskii. J. de Phys. IV, 4, 4, C4-353 (1994)
  4. A.E. Nosenko, R.Ye. Leshchuk, V.V. Kravchishin. Ibid, C4-455.
  5. А.Е. Носенко, Р.Е. Лещук, В.В. Кравчишин. УРЖ 35, 9, 1315 (1990)
  6. A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Charge transfer phenomena in complex oxide crystals. XIII Int. Symposium on the reactivity of solids ISRS-13. Hamburg University (September 8-12, 1996). Hamburg, Germany (1996). Abstr. P. 3-PO-205
  7. A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Electret effects in complex oxide crystals. 9th Int. Symposium of Electrets ISE-9. Tongji University (25-30 September 1996). Shanghai, China (1996). Abstr. P. 3B-P-23
  8. А.Е. Носенко, В.Н. Шевчук. ЖТФ 63, 8, 69 (1993)
  9. А.Е. Носенко, В.Н. Шевчук. УФЖ 30, 1, 1546 (1985)
  10. А.Е. Носенко, В.Н. Шевчук, А.В. Гальчинский. ФТТ 29, 2, 620 (1987)
  11. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. Наука, М. (1991). 248 с
  12. В.М. Фридкин. Физические основы электрофотографического процесса. Энергия, М.-Л. (1966). 288 с
  13. И.С. Желудев. Физика кристаллических диэлектриков. Наука, М. (1968). 464 с
  14. А.А. Потапов. Диэлектрический метод исследования вещества. Изд-во Иркут. ун-та, Иркутск (1990). 256 с
  15. И.Ю. Клугман. Электрохимия 32, 3, 382 (1996)
  16. И.С. Рез, Ю.М. Поплавко. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. Радио и связь, М. (1989). 288 с
  17. О.Г. Влох, А.Е. Носенко, Р.В. Гамерник, А.И. Билый. Кристаллография 29, 4, 800 (1984)
  18. A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Rad. Eff. Def. Sol. 134, 1--4, 251 (1995)
  19. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов / Под ред. А.А. Каминского. Наука, М. (1986). 272 с
  20. F. Luty. In: Defects in insulating crystals. Proc. of the Int. Conf. Riga (May 18--23 1981) / Ed. V.M. Tuchkevich and K.K. Shvarts. Zinatne, Riga, Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N.-Y. (1981). P. 69--89
  21. И.Н. Гейфман, И.В. Козлова, Т.В. Синько. ФТТ 36, 2, 284 (1994)
  22. М.Д. Глинчук, В.А. Стефанович. ФТТ 37, 1, 137 (1995)
  23. В.Б. Калинин. Неорган. материалы 35, 5, 604 (1995)
  24. В.В. Леманов, Н.В. Зайцева, Е.П. Смирнова, П.П. Сырников. ФТТ 37, 6, 1854 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.