Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1997, выпуск 1 » Статья стр. 127
<<<>>>
Диаграмма устойчивости упругих доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических тонких пленках
Перцев Н.А.1, Емельянов А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
PDF версия
Теоретически исследуется статика одиночных упругих доменов (двойников) в эпитаксиальных тонких пленках тетрагональной симметрии, выращенных на кубической подложке. Рассмотрены различные возможные варианты геометрической формы домена: пластинчатая, трапецеидальная и треугольная кофигурации. Неоднородные внутренние напряжения, существующие в полидоменных эпитаксиальных системах, рассчитываются методом эффективных дислокаций. Отсюда определяются упругие энергии, запасенные в гетероструктурах с различными доменами. Путем минимизации полной внутренней энергии гетероструктуры вычисляется равновесная ширина домена. Далее из энергетических соображений строится диаграмма устойчивости одиночных доменов в эпитаксиальных пленках. Показано, что в значительной части этой диаграммы трапецеидальные домены энергетически более выгодны, чем пластинчатые домены. Исследовано влияние внешнего электрического поля на устойчивость 90o доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках.
  1. B.S. Kwak, A. Erbil, B.J. Wilkens, J.D. Budai, M.F. Chisholm, L.A. Boather. Phys. Rev. Lett. 68, 25, 3733 (1992)
  2. Y. Gao, G. Bai, K.L. Merkle, Y. Shi, H.L.M. Chang, Z. Shen, D.J.J. Lam. J. Mater. Res. 8, 1, 145 (1993)
  3. A.E.M. De Veirman, J. Timmers, F.J.G. Hakkens, J.F.M. Cillessen, R.M. Wolf. Philips J. Res. 47, 3--5, 185 (1993)
  4. R. Ramesh, T. Sands, V.G. Keramidas. Appl. Phys. Lett. 63, 6, 731 (1993)
  5. B.S. Kwak, A. Erbil, J.D. Budai, M.F. Chisholm, L.A. Boather, B.J. Wilkens. Phys. Rev. B49, 21, 14865 (1992)
  6. J.S. Speck, A.C. Daykin, A. Seifert, A.E. Romanov, W. Pompe. J. Appl. Phys. 78, 3, 1696 (1995)
  7. Y.M. Kang, J.K. Ku, S. Baik. J. Appl. Phys. 78, 4, 2601 (1995)
  8. C.M. Foster, Z. Li, M. Buckett, D. Miller, P.M. Baldo, L.E. Rehn, G.R. Bai, D. Guo, H. You, K.L. Merkle. J. Appl. Phys. 78, 4, 2607 (1995)
  9. M.J. Nystrom, B.W. Wessels, J. Chen, T.J. Marks. Appl. Phys. Lett. 68, 6, 761 (1996)
  10. A.L. Roitburd. Phys. Stat. Sol. (a) 37, 329 (1976)
  11. J.S. Speck, W. Pompe. J. Appl. Phys. 76, 1, 466 (1994)
  12. A.L. Roytburd. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 221, 255 (1991)
  13. A.L. Roytburd, Y. Yu. Ferroelectrics 144, 137 (1993)
  14. W. Pompe, X. Gong. Z. Suo, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 74, 10, 6012 (1993)
  15. S. Little, A. Zangwill. Phys. Rev. B49, 23, 16659 (1994)
  16. J.S. Speck, A. Seifert, W. Pompe, R. Ramesh. J. Appl. Phys. 76, 1, 477 (1994)
  17. A.L. Roytburd, Y. Yu. In: Twinning in advanced materials / Ed. M.H. Yoo and M. Wuttig. (1994). P. 217
  18. N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov. J. Appl. Phys. 78, 10, 6170 (1995).
  19. N.A. Pertsev, G. Arlt, A.G. Zembilgotov. Microelectronic. Eng. 29, 135 (1995)
  20. N.A. Pertsev, G. Arlt, A.G. Zembilgotov. Phys. Rev. Lett. 76, 8, 1364 (1996).
  21. N.A. Pertsev, G. Arlt. Ferroelectrics 123, 27 (1991)
  22. Н.А. Перцев, Г. Арльт. ФТТ 33, 10, 3077 (1991)
  23. A.K. Head. Proc. Roy. Soc. (London) A66, 405, 793 (1953)
  24. В.И. Владимиров, А.Е. Романов. Дисклинации в кристаллах. Л. (1986). 223 с
  25. G. Arlt, N.A. Pertsev. J. Appl. Phys. 70, 4, 2283 (1991)
  26. M.J. Haun, E. Furman, S.J. Jang, H.A. McKinstry, L.E. Gross. J. Appl. Phys. 62, 8, 3331 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme