Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1997, выпуск 1 » Статья стр. 121
<<<>>>
Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких пленках
Децик В.Н.1, Каптелов Е.Ю.2, Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1, Пронин И.П.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
PDF версия
Экспериментально и теоретически изучен процесс зарождения и роста островков новой фазы на поверхности твердых тел на примере фазового перехода из пирохлорной фазы в перовскитовую в тонкой пленке сегнетоэлектрика цирконата-титаната свинца. Данное превращение выбрано потому, что островки новой фазы в этом случае имеют устойчивую круглую форму, относительно большие размеры (10-5-10-4 m), позволяющие вести за ними наблюдения в оптическом микроскопе, и низкую скорость роста (10-8-10-9 m/s). Проведен теоретический анализ этого процесса на основе предложенной ранее кинетической теории фазовых переходов первого рода, вычислены зависимости от времени всех основных характеристик фазового превращения: скорости зародышеобразования, концентрации островков новой фазы, их распределения по размерам и относительного перегрева. Эти же зависимости измерены экспериментально, что впервые позволило провести подробное сравнение теоретических и экспериментальных данных по кинетике фазовых переходов первого рода. Установлено хорошее соответствие их друг другу.
  1. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Prog. Surf. Sci. 51, 1, 1 (1996)
  2. Ф.С. Зельцер, Т.К. Соболева, А.Э. Филиппов. ЖЭТФ 108, 1, 356 (1995)
  3. В.И. Трофимов, В.А. Осадченко. Рост и морфология тонких пленок. Энергоатомиздат. М. (1993). 272 с
  4. В.Г. Бойко, Х.-Й. Могель, В.М. Сысоев, А.В. Чалый. УФН 161, 1, 77 (1991)
  5. J.J. Kozak. Adv. Chem. Phys. 40, 229 (1979)
  6. A.V. Osipov. J. Phys. D.; Appl. Phys. 28, 8, 1670 (1995)
  7. S. Stoyanov, D. Kashchiev. Curr. Top. Mater. Sci. 7, 69 (1981)
  8. A.V. Osipov. Thin Solid Films 227, 1/2, 111 (1993)
  9. A.V. Osipov. Thin Solid Films 231, 1/2, 173 (1995)
  10. А.В. Осипов. ФТТ 36, 5, 1213 (1994)
  11. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 38, 2, 443 (1996)
  12. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Phys. Rev. E53, 5, 4964 (1996)
  13. C.K. Kwok, S.B. Desu. J. Mater. Res. 9, 7, 1728 (1994)
  14. К. Окадзаки. Технология керамических диэлектриков. Энергия. М. (1976). 336 с
  15. A.H. Carim, B.A. Tuttle, D.H. Doughty, S.L. Mrtinz. J. Am. Ceram. Soc. 74, 6, 1455 (1991)
  16. В.П. Афанасьев, С.В. Богачев, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.А. Петров, И.П. Пронин. ЖТФ 66, 6, 1831 (1996)
  17. R.B. Khamankar, J.-Y. Kim, C. Sudhama, J.C. Lee. Integrated Ferroelectrics 5, 169 (1994)
  18. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление. Диффузия. Эпитаксия / Под ред. Р. Бургера и Р. Донована. Мир, М. (1969). Т. 1. 451 с
  19. K. Nashimoto, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys. B33, 9, 5147 (1994)
  20. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир. М. (1981). 736 с
  21. R.C. Neville, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 4657 (1972)
  22. Н.К. Юшин, А.В. Сотников. ФТТ 22, 9, 2772 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme