Издателям
Вышедшие номера
Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких пленках
Децик В.Н.1, Каптелов Е.Ю.2, Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1, Пронин И.П.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Экспериментально и теоретически изучен процесс зарождения и роста островков новой фазы на поверхности твердых тел на примере фазового перехода из пирохлорной фазы в перовскитовую в тонкой пленке сегнетоэлектрика цирконата-титаната свинца. Данное превращение выбрано потому, что островки новой фазы в этом случае имеют устойчивую круглую форму, относительно большие размеры (10-5-10-4 m), позволяющие вести за ними наблюдения в оптическом микроскопе, и низкую скорость роста (10-8-10-9 m/s). Проведен теоретический анализ этого процесса на основе предложенной ранее кинетической теории фазовых переходов первого рода, вычислены зависимости от времени всех основных характеристик фазового превращения: скорости зародышеобразования, концентрации островков новой фазы, их распределения по размерам и относительного перегрева. Эти же зависимости измерены экспериментально, что впервые позволило провести подробное сравнение теоретических и экспериментальных данных по кинетике фазовых переходов первого рода. Установлено хорошее соответствие их друг другу.
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Prog. Surf. Sci. 51, 1, 1 (1996)
  • Ф.С. Зельцер, Т.К. Соболева, А.Э. Филиппов. ЖЭТФ 108, 1, 356 (1995)
  • В.И. Трофимов, В.А. Осадченко. Рост и морфология тонких пленок. Энергоатомиздат. М. (1993). 272 с
  • В.Г. Бойко, Х.-Й. Могель, В.М. Сысоев, А.В. Чалый. УФН 161, 1, 77 (1991)
  • J.J. Kozak. Adv. Chem. Phys. 40, 229 (1979)
  • A.V. Osipov. J. Phys. D.; Appl. Phys. 28, 8, 1670 (1995)
  • S. Stoyanov, D. Kashchiev. Curr. Top. Mater. Sci. 7, 69 (1981)
  • A.V. Osipov. Thin Solid Films 227, 1/2, 111 (1993)
  • A.V. Osipov. Thin Solid Films 231, 1/2, 173 (1995)
  • А.В. Осипов. ФТТ 36, 5, 1213 (1994)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 38, 2, 443 (1996)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Phys. Rev. E53, 5, 4964 (1996)
  • C.K. Kwok, S.B. Desu. J. Mater. Res. 9, 7, 1728 (1994)
  • К. Окадзаки. Технология керамических диэлектриков. Энергия. М. (1976). 336 с
  • A.H. Carim, B.A. Tuttle, D.H. Doughty, S.L. Mrtinz. J. Am. Ceram. Soc. 74, 6, 1455 (1991)
  • В.П. Афанасьев, С.В. Богачев, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.А. Петров, И.П. Пронин. ЖТФ 66, 6, 1831 (1996)
  • R.B. Khamankar, J.-Y. Kim, C. Sudhama, J.C. Lee. Integrated Ferroelectrics 5, 169 (1994)
  • Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление. Диффузия. Эпитаксия / Под ред. Р. Бургера и Р. Донована. Мир, М. (1969). Т. 1. 451 с
  • K. Nashimoto, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys. B33, 9, 5147 (1994)
  • М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир. М. (1981). 736 с
  • R.C. Neville, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 4657 (1972)
  • Н.К. Юшин, А.В. Сотников. ФТТ 22, 9, 2772 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.