Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетеросистемы pCdTe/nCdS. Данные вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик показывают, что твердый раствор CdTe_1-xS_x на гетерогранице pCdTe/nCdS является неоднородным не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-фарадных характеристик оценены толщины твердых растворов. Показано, что при плотностях тока 10^-8-10^-5 A·cm^-2 вольт-амперная характеристика в гетеросистеме pCdTe/nCdS описывается термоэлектронной эмиссией, а в диапазоне 10^-4-10^-2 A·cm^-2 ток в гетероструктуре ограничивается рекомбинацией в электронейтральной части высокоомного твердого раствора CdTe_1-xS_x. Определены время жизни и длина диффузии неосновных носителей тока в твердом растворе CdTe_1-xS_x, а также скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела CdS и твердого раствора CdTe_1-xS_x. Показано, что гетероструктура pCdTe/nCdS работает как p-i-n-структура, где p-слоем является CdTe, i-слоем - CdTe_1-xS_x, n-слоем - CdS. Работа выполнена по теме гранта N 12-06 Фонда поддержки фундаментальных исследований АН Р Уз. PACS: 72.10.-d, 73.61.Ga, 73.40.Rw

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.