Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм переноса тока в гетеропереходах nCdS/pCdTe
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
2Нукусский государственный педагогический институт, Нукус, Узбекистан
2Нукусский государственный педагогический институт, Нукус, Узбекистан
Email: samusu@rambler.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетеросистемы pCdTe/nCdS. Данные вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик показывают, что твердый раствор CdTe1-xSx на гетерогранице pCdTe/nCdS является неоднородным не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-фарадных характеристик оценены толщины твердых растворов. Показано, что при плотностях тока 10-8-10-5 A·cm-2 вольт-амперная характеристика в гетеросистеме pCdTe/nCdS описывается термоэлектронной эмиссией, а в диапазоне 10-4-10-2 A·cm-2 ток в гетероструктуре ограничивается рекомбинацией в электронейтральной части высокоомного твердого раствора CdTe1-xSx. Определены время жизни и длина диффузии неосновных носителей тока в твердом растворе CdTe1-xSx, а также скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела CdS и твердого раствора CdTe1-xSx. Показано, что гетероструктура pCdTe/nCdS работает как p-i-n-структура, где p-слоем является CdTe, i-слоем - CdTe1-xSx, n-слоем - CdS. Работа выполнена по теме гранта N 12-06 Фонда поддержки фундаментальных исследований АН Р Уз. PACS: 72.10.-d, 73.61.Ga, 73.40.Rw
- L.R. Shiozawa, G.A. Sillivan, F. Augustine. Contract N AF 33(615) 5224. Clevite corp., Cleveland, Ohio (1967)
- Т.М. Разыков. Гелиотехника 2, 23 (1981)
- K. Yasuba, K. Hhitoshi, A. Hideshi, I. Toshio. Jpn. J. Appl. Phys. 29, 1733 (1990)
- П.В. Гаугаш, В.А. Касьян, В.И. Корольков, Н.Р. Рахимов. ФТП 9, 1879 (1975)
- C.L. Chan, I. Shin. J. Appl. Phys. 68, 156 (1990)
- M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett. 75, 3503 (1999)
- K. Ohata, J. Sarate, T. Tanaka. Jap. J. Appl. Phys. 12, 1641 (1973)
- Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорган. материалы 41, 915 (2005)
- Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. В кн.: Материалы конф. "Физика в Узбекистане". Ташкент (2005). С. 97
- Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, Б.У. Айтбаев. В кн.: Материалы Респ. конф. "Рост, свойства и применение кристаллов". Нукус (2005). С. 55
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. Мир, М. (1984). 455 с
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. Мир, М. (1975). 432 с
- П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков. Высш. шк., М. (1977). 447 с
- Х.Х. Исмаилов, Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов. ФТП 40, 185 (2006).
- Solar energy conversion / Ed. B.O. Setaphin. Springer-Verlag, Berlin etc. (1979)
- В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, М. Джумабаев, Н. Назаров. ФТП 31, 152 (1997)
- В.И. Стафеев. ЖТФ 28, 1631 (1958)
- K. Zanio. In: Semiconductors and Semimetals. Vol. 13, Academic Press, N.Y. (1978). P. 236
- S. Zh. Karazhanov. Appl. Phys. Lett. 89, 3707 (2001)
- S. Zh. Karazhanov. Appl. Phys. Lett. 76, 2689 (2000)
- А. Косяченко, X. Mathew, В.В. Мотущук, В.М. Склярчук. ФТП 39, 5690 (2005)
- Г.С. Хрипунов. ФТП 39, 1266 (2005).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
