Вышедшие номера
Поглощение звука свободными носителями в полупроводниках
Гитис М.Б.
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.

Исследовано поглощение и усиление звука свободными носителями заряда в полупроводниках с электрическими неоднородностями, возникающими из-за флуктуации концентрации примесей. Последние создают крупномасштабный (по сравнению со средним расстоянием между примесями) потенциал. Наличие крупномасштабного потенциала учитывается введением в уравнения Максвелла внутреннего электрического поля и неоднородного распределения носителей в пространстве. Формулы для коэффициента поглощения и скорости звука получены путем решения системы стохастических уравнений приближенным методом Дайсона. При вычислении коэффициента поглощения звука использовались модельные (экспоненциальный и гауссовый) коэффициенты корреляции флуктуации концентрации примесей. Полученные формулы слабо зависят от вида коэффициента корреляции. Они позволяют объяснить полученные ранее экспериментальные результаты по поглощению звука в пьезополупроводниках: уменьшение высоты и смещение местоположения по шкале электропроводностей максимума коэффициента поглощения звука (усиления) по сравнению с теорией, развитой для однородных образцов. Обсуждается возможность использования акустических измерений для оценок параметров электрических неоднородностей в полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.