Рассчитан спектр света, рассеянного электронно-дырочной плазмой полупроводника в условиях дрейфа носителей. В контролируемом столкновениями режиме, когда изменение волнового вектора света при рассеянии мало по сравнению с обратными длинами пробега электронов и дырок, дифференциальное сечение рассеяния света выражено через кинетические характеристики электронной и дырочной систем - коэффициенты диффузии, дрейфовые скорости и времена максвелловской релаксации. В случае многодолинного полупроводника показано, как на опыте в сечении рассеяния света разделить вклады от рассеяния на неэкранированной моде, обусловленной "флуктуациями масс, и на квазинейтральной моде, обусловленной амбиполярными флуктуациями плотности носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.