Методом ЭПР проведено систематическое исследование процессов дефектообразования под действием gamma-облучения и вакуумного отжига с последующей УФ-подсветкой в чистых и легированных примесями группы железа и редкоземельными элементами монокристаллах LiNbO₃. Установлено, что активную роль в процессах дефектообразования играют 3d-ионы (Ti, Mn, Ni, Сu), входящие в кристалл в различных зарядовых состояниях. Редкоземельные ионы, содержащие глубоко лежащие электроны 4f-оболочки, слабо взаимодействуют с окружением и (за исключением Тb) не играют активной роли в дефектообразовании. Точно так же пассивны в процессах дефектообразования локально-компенсированные 3d-ионы (например, Сr³⁺), входящие преимущественно в единственном зарядовом состоянии. Из результатов исследования дефектообразования при вакуумном отжиге LiNbO₃ следует, что вероятнее всего из кристалла удаляются целиком молекулы Li₂O, так что отдельно F-центры (вакансии O^2-) и вакансии Li⁺ не образуются.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.