Развита теория распространения слабонеравновесных фононов, инжектированных в кристалл с примесями плоским генератором. Получено и проанализировано точное выражение, описывающее зависимость от времени плотности энергии фононов в произвольной точке среды и справедливое при любом числе актов рассеяния фононов на примесях за характерные времена наблюдения. Предложены простые интерполяционные формулы, с большой точностью соответствующие общему решению. Проанализирована ситуация, когда рассеяние фононов на примесях носит рэлеевский характер. Показано, что в этом случае существенную роль играют высокочастотные фононы с энергиями >~=4k_БT, где T - температура генератора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.