Исследуется устойчивость стационарного пространственно-однородного распределения температуры и плотности дефектов облучаемого потоком частиц кристалла, находящегося в термостате. Показано, что существует область параметров - скорости создания дефектов и температуры термостата, - в которой стационарное однородное распределение неустойчиво по отношению к возникновению периодических во времени колебаний температуры кристалла и концентрации в нем дефектов. Определена область существования автоколебаний, найдены их период, его зависимость от условий облучения и свойств кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.