Рентгенодифракционными методами изучено диффузное рассеяние и определены параметры решетки в SiC, облученном потоком реакторных нейтронов, в зависимости от дозы облучения (Phi=10¹⁷/10²¹ см^-2) и температуры изохронного отжига (T_a=200/2600^oС). Исследовано также изменение в процессе отжига электрических и оптических свойств образцов. Установлено, что радиационные дефекты приводят к увеличению параметров решетки и частично отжигаются при T_a=500/1000^oС. Основная стадия отжига, в результате которой происходит почти полное восстановление исходной концентрации носителей заряда, коэффициента оптического поглощения и параметров решетки, происходит при T_a=1500/1700^oС и характеризуется энергией активации, равной 3.0 эВ. При более высоких T_a<=1900^oС в образцах методом диффузного рассеяния, проводимого на трехкристальном спектрометре, выявлены крупные кластеры междоузельного типа, размеры которых растут с повышением T_a от 100-200 Angstrem при 1900^oС до 2000-4000 Angstrem при 2500^oС.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.