Проведен анализ экспериментальных зависимостей электросопротивления R от температуры T и поперечного магнитного поля H аморфных пленок висмута, полученных осаждением в вакууме на охлажденную жидким гелием подложку, с целью выявления влияния на эти зависимости эффектов слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что зависимости R(H) при T=<sssim15 K объясняются совместным влиянием слабой локализации и поправки Маки-Томпсона в рамках двумерного случая этих теорий. Это позволило определить зависимость времени фазовой релаксации электронов tau_varphi(T)~ T^-2, определяемую влиянием неупругих электрон-фононных столкновений. Зависимость tau_varphi(T) хорошо объясняет в рамках трехмерного случая теории слабой локализации и типичное для аморфных пленок висмута линейное уменьшение R с повышением температуры при T>~=25 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.