У теллуридных стекол a-Si₁₅Ag₁₅Te₇₀ и a-Si₁₅Ag₅Te₈₀ при давлении P_c~70 кбар происходит переход диэлектрик-металл андерсоновского типа. Вблизи P_c появляется сверхпроводимость с критической температурой T_c, растущей при сжатии в интервале давлений P_c - 130 кбар. В этой же области давлений измерены кривые критических магнитных полей H_c2(T). Рассматривается роль эффектов локализации в поведении электрических и сверхпроводящих характеристик.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.