Обнаружены и исследованы взаимосвязанные эффекты гашения и регенерации фотопроводимости, persistent проводимости, ОПЯ и ЭПР центров Fe⁰ в кремнии n-типа, легированном железом, которые обусловлены долговременными процессами туннелирования донорного центра железа между позициями off-центра и узлом решетки при перезарядке. Результаты исследования объясняются в рамках модели глубокого центра с локальной отрицательной корреляционной энергией. Определена роль эффекта Штарка в динамике туннелирования глубоких центров, которая управляет процессами рекомбинации в полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.