Нелинейные свойства электронно-ядерной спин-системы твердых растворов AlGaAs в сильном магнитном поле изучались методом оптической ориентации. Обнаружено, что зависимость степени rho циркулярной поляризации люминесценции от внешнего магнитного поля H (кривая Ханле) определяется ориентацией поля H относительно кристаллографических осей. Наиболее резкие изменения кривой Ханле наблюдались тогда, когда ориентация магнитного поля изменялась вблизи перпендикуляра к какой-либо из осей 111 кристалла. Экспериментальные кривые магнитной деполяризации люминесценции, а также зарегистрированные ранее незатухающие колебания rho описаны теоретически. Сопоставление расчета и эксперимента позволило впервые определить вклад квадрупольно-возмущенных ядер в оптическую поляризацию ядер решетки кристаллов AlGaAs и время продольной релаксации ядер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.