Издателям
Вышедшие номера
Влияние поверхности на объемную радиолюминесценцию щелочно-галоидных кристаллов
Алукер Э.Д., Нестерова С.Н., Нечаев А.Ф.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Для оценки глубины выхода носителей заряда на поверхность твердого тела в работе исследовано влияние степени дисперсности на объемную радиолюминесценцию щелочно-галоидных кристаллофосфоров. Полученные результаты позволяют оценить глубину выхода носителей заряда на поверхность, которая оказывается порядка 10 мкм. Наиболее вероятным механизмом миграции носителей заряда к поверхности, обеспечивающим такие значительные глубины выхода, является дрейф к поверхности в поле объемного заряда, формируемого облучением.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.