Исследуется температурная зависимость среднего расстояния между доменными стенками (солитонами) l, образующими несоразмерную фазу, вблизи точки перехода в соразмерную фазу (T=T_c) в кристалле с дефектами. Рассматриваются как дефекты типа случайного поля (имеющие разную энергию в разных доменах), так и дефекты типа случайной температуры (непосредственно взаимодействующие с доменной стенкой). В отличие от предыдущих работ учитываются дальнодействующие электрические и упругие поля, возникающие при изгибе доменной стенки в несоразмерных сегнетоэлектриках или сегнетоэластиках. Для последних зависимость l от |T-T_c| оказывается логарифмической, т. е. такой же, как и в бездефектном кристалле. Для сегнетоэлектриков индекс beta в зависимости l~|T-T_c|^-beta равен 1/2 для дефектов типа случайного поля (в отсутствие дальнодействия beta=1), а для дефектов типа случайная температура 3/14 <beta< 3/10 (в отсутствие дальнодействия 1/3<beta<1/2).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.