Исследовались временные зависимости диэлектрической проницаемости и статического пироэлектрического коэффициента кристаллов ТГС, содержащих примеси (10 вес.% L, alpha-аланина в растворе) и радиационные дефекты. Доменная структура кристаллов выводилась из состояния равновесия путем приложения постоянного электрического поля. Показано, что с увеличением внутреннего поля абсолютные значения времени релаксации уменьшаются с одновременным сужением температурной области перестройки доменной структуры кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.