Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент

Кукушкин С.А.¹, Осипов А.В.¹

¹Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: ksa@phase.ipme.ru

Поступила в редакцию: 30 ноября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен теоретически и реализован экспериментально новый метод твердофазной эпитаксаии карбида кремния SiC на кремнии Si. Рост пленки SiC различных политипов на Si(111) осуществляется за счет химической реакции (при T=1100-1400^oC) монокристаллического кремния с газообразным оксидом углерода CO (p=10-300 Pa). Часть атомов кремния превращается в газообразный оксид кремния SiO и покидает систему, что приводит к образованию вакансий и пор в кремнии на границе между кремнием и карбидом кремния. Эти поры обеспечивают существенную релаксацию упругих напряжений, вызванную несоответствием решеток Si и SiC. Рентгеноструктурные, электронографические и электронно-микроскопические исследования, а также люминесцентный анализ показали, что слои карбида кремния являются эпитаксиальными, однородными по толщине и могут содержать в зависимости от условий роста различные политипы, а также их смесь. Характерный размер пор - 1-5 mum при толщине пленки ~20-100 nm. Термодинамическая теория зародышеобразования обобщена на случай с химической реакцией. Построены кинетическая и термодинамическая теории данного механизма роста, вычислены зависимости от времени числа зародышей новой фазы, плотностей химических компонентов, толщины пленки. Предложена модель релаксации упругих напряжений в пленке за счет вакансий и пор в подложке. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 06-03-32467, 07-08-00542), ХК "Созвездие Водолея" (проект "Кристалл"), Санкт-Петербург, Санкт-Петербургского научного центра РАН, проекта НФМ-1/03, Фонда поддержки науки и образования, Санкт-Петербург. PACS: 61.46.-w, 68.18.Jk, 81.15.-z, 81.15.Aa

Silicon carbide, A. review of fundamental questions and application to current device technology / Eds W.J. Choyke, H.M. Matsunami, G. Pensl. Akademie, Berlin (1998). V. I, II
A. Fissel. Phys. Rep. 379, 149 (2003)
S. Nishino, J.A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett. 42, 460 (1983)
C. Ricciardi, E. Aimo Boot, F. Gioegis, P. Mandracci, U. Meotto, G. Barucco. Appl. Surf. Sci. 238, 331 (2004)
Y. Abe, J. Komiyama, S. Suzuki, H. Nakanishi. J. Cryst. Growth 283, 41 (2005)
J. Tolle, R. Roucka, P.A. Crozier, A.V.G. Chizmeshya, I.S.T. Tsong, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett. 81, 2181 (2002)
Н.С. Савкина, В.В. Ратников, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А. Волкова. ФТП 36, 812 (2002)
A.R. Bushroa, C. Jacob, H. Saijo, S. Nishino, J. Cryst. Growth 271, 200 (2004)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности. Заявка на патент РФ N 2008102398 (приоритет 22.01.2008)
C.J. Mogab, H.J. Leamy. J. Appl. Phys. 45, 1075 (1974)
G. Dufour, F. Rouchet, F.C. Stedile, Ch. Poncey, M. De Crescenzi, R. Gunnella, M. Froment. Phys. Rev. B 56, 4266 (1997)
V. Palermo, A. Parisini, D. Jones. Surf. Sci. 600, 1140 (2006)
M. Di Ventra, S.T. Pantelides. Phys. Rev. Lett. 83, 1628 (1999)
S. Wang, M. Di Ventra, S.G. Kim, S.T. Pantelides. Phys. Rev. Lett. 86, 5946 (2001)
Термодинамические свойства индивидуальных веществ / Под ред. В.П. Глушко. Наука, М. (1979). Т. 1, 2
P. Patzner, A.V. Osipov, P. Hess. Appl. Phys. A 85, 145 (2006)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика Т. 5. Статистическая физика. Наука, М. (1976). 584 с
Т. де Донде, П. ван Риссельберг. Термодинамическая теория сродства (книга принципов). Металлургия, М. (1984). 134 с
И. Пригожин, Р. Дефэй. Химичкская термодинамика. Наука, Новосибирск (1966). 502 с
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1084 (1998)
С.А. Кукушкин. Успехи механики 2, 2, 21 (2003)
S.A. Kukushkin. J. Appl. Phys. 98, 033 503 (2005)
Л.А. Жукова, М.А. Гуревич. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1971). 173 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель