Вышедшие номера
Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий
Рау Э.И.1, Евстафьева Е.Н.2, Андрианов М.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: rau@phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Качественно и количественно исследованы электронно-эмиссионные и зарядовые характеристики широкого класса массивных диэлектриков. Показано, что при облучении диэлектриков непрерывным электронным пучком средних энергий происходит уменьшение значения равновесной энергии падающих электронов (второй критической энергии) по сравнению с их теоретическими значениями. Равновесное состояние зарядки до насыщения наступает за время от единиц до сотен секунд в зависимости от плотности облучающего тока и энергии электронов, а также в зависимости от материала диэлектрика. Механизмы зарядки объяснены на основе модели образования в процессе облучения двойного слоя зарядов: положительного (с толщиной, равной глубине выхода вторичных электронов) и отрицательного (с толщиной, равной глубине пробега первичных электронов). PACS: 77.22.-d, 77.22.Jp