Вышедшие номера
Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий
Рау Э.И.1, Евстафьева Е.Н.2, Андрианов М.В.1
1Институт проблем технологии и микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: rau@phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Качественно и количественно исследованы электронно-эмиссионные и зарядовые характеристики широкого класса массивных диэлектриков. Показано, что при облучении диэлектриков непрерывным электронным пучком средних энергий происходит уменьшение значения равновесной энергии падающих электронов (второй критической энергии) по сравнению с их теоретическими значениями. Равновесное состояние зарядки до насыщения наступает за время от единиц до сотен секунд в зависимости от плотности облучающего тока и энергии электронов, а также в зависимости от материала диэлектрика. Механизмы зарядки объяснены на основе модели образования в процессе облучения двойного слоя зарядов: положительного (с толщиной, равной глубине выхода вторичных электронов) и отрицательного (с толщиной, равной глубине пробега первичных электронов). PACS: 77.22.-d, 77.22.Jp
  1. С.Г. Боев, В.Я. Ушаков. Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики. Энергоатомиздат, М. (1991). 240 с
  2. И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 407 с
  3. А.Р. Шульман, С.А. Фридрихов. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. Наука, М. (1977). 552 с
  4. L. Reimer, U. Golla, R. Bongeler, M. Kassens, B. Schindler, R. Senkel. Optik. 92, 14 (1992)
  5. D. Joy, C. Joy. Micron. 27, 247 (1996)
  6. V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, K.P. Meyer, H. Blumtritt. Phys. Stat. Sol. (a) 78, 229 (1983)
  7. J. Cazaux. J. Appl. Phys. 85, 1137 (1999)
  8. J. Cazaux. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 244, 307 (2006)
  9. F. Mady, R. Renoud, J.-P. Ganachaud. J. Phys.: Cond. Matter 14, 231 (2002)
  10. X. Meyza, D. Goeuriot, D. Treheux, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys. 94, 5384 (2003)
  11. M. Touzin, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Treheux, H. J. Fitting. J. Appl. Phys. 99, 114 110.1 (2006)
  12. H. Seiler. J. Appl. Phys. 54, R 1 (1983)
  13. L. Reimer. Image formation in low-voltage scanning electron microscopy. SPIE Press, Washington (1993). 144 p
  14. Nunes de Olivier, B. Gross. J. Appl. Phys. 46, 3132 (1975)
  15. Z.G. Song, C.K. Ong, H. Gong. J. Appl. Phys. 79, 7123 (1996)
  16. A. Melchinger, S. Hofmann. J. Appl. Phys. 78, 6224 (1995)
  17. М.В. Андрианов, В.В. Аристов, А.В. Гостев, Э.И. Рау. Поверхность 3, 40 (2004)
  18. М.В. Андрианов, А.В. Гостев, Э.И. Рау, Ж. Казо, О. Жбара, М. Белхании. Поверхность 12, 9 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.