Шеин И.Р.1, Wilks R.2, Moewes A.2, Курмаев Э.З.3, Зацепин Д.А.3, Кухаренко А.И.4, Чолах С.О.4
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
 2
2Department of Physics and Engineering Physics, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan, Canada
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
 4
4Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
 Email: shein@ihim.uran.ru
 
	Поступила в редакцию: 21 августа 2007 г.
		
	Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
 Представлены результаты исследования электронного строения кристаллического Be2SiO4 методом рентгеновской эмиссионной и абсорбционной спектроскопии (Be Kalpha XES, Be 1s XAS, Si L2,3 XES, Si 2p XAS, O Kalpha XES, O 1s XAS). Выполнен расчет зонной структуры ab initio полнопотенциальным методом присоединенных плоских волн (FLAPW), приведены полные и парциальные плотности состояний, дисперсионные зависимости. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости Be2SiO4 обусловлены преимущественно 2p-состояниями кислорода. Наименьший по энергии электронный переход возможен в центре зоны Бриллюэна. Оценены эффективные массы электронов (0.5me) и дырок (3.0me). Работа выполнена по плану РАН (тема N 01.2.006 13395) при частичной поддержке Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-41.92.2006.2), а также проектов РФФИ (гранты N 08-02-00046а и 08-02-00148а). PACS: 61.10.Ht, 61.50.Ah 
- У. Брегг, Г. Кларингбулл. Кристаллографическая структура минералов. Мир, М. (1967). 390 с
- X. Bu, T.E. Gier, G.D. Stucky. Acta Cryst. C 52, 1601 (1996)
- Т.Ф. Веремейчик, Е.В. Жариков, К.А. Субботин. Кристаллография 48, 1042 (2003)
- Y. Hao, Y. Wang. J. Lumin. 122--123, 1006 (2007)
- L. El Mir, A. Amlouk, C. Barthou, S. Alaya. Physica B 388, 412 (2007)
- В.С. Кортов, И.Н. Шабанова, А.Ф. Зацепин, С.Ф. Ломаева, В.И. Ушкова, В.Я. Баянкин. Поверхность. Физика, химия, механика 2, 110 (1983)
- V.S. Kortov, A.F. Zatsepin, V.I. Ushkova. Phys. Chem. Miner. 12, 114 (1985)
- А.Ф. Зацепин, В.И. Ушкова, В.А. Калентьев. Поверхность. Физика, химия, механика 6, 100 (1990)
- Л.А. Благинина, А.Ф. Зацепин, А.И. Кухаренко, В.А. Пустоваров, Ю.Н. Новоселов, С.О. Чолах, В.Ю. Яковлев. Изв. вузов. Физика. Приложение C 10, 378 (2006)
- А.Ф. Зацепин, Л.А. Благинина, А.И. Кухаренко, В.А. Пустоваров, С.О. Чолах. ФТТ 49, 798 (2007)
- J.J. Jia, T.A. Callcott, J. Yurkas, A.W. Ellis, F.J. Himpsel, M.G. Samant, J. Stohr, D.L. Ederer, J.A. Carlisle, E.A. Hudson, L.J. Terminello, D.K. Shuh, R.C.C. Perera. Rev. Sci. Instrum. 66, 1394 (1995)
- P. Blaha, K. Schwarz, G.K.H. Madsen. WIEN2k. An Augmented plane wave plus local orbitals program for calculating crystal properties. Tech. Univ. Wien (2001)
- J.P. Perdew, S. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)
- J.W. Downs, G.V. Gibbs. Am. Mineralog. 72, 769 (1987)
- K. Schwarz, A. Neckel. Phys. Chem. Chem. Phys. 79, 1071 (1975)
- K. Schwarz, E. Wimmer. J. Phys. F: Metal Phys. 10, 1001 (1980)
- И.М. Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика. Наука, М. (1972). 640 с
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводника. Наука, М. (1977). 672 с
- J.R. Chelikowsky, M. Schluter. Phys. Rev. B 15, 4020 (1977)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Изд-во ЛГУ, Л. (1988). 302 с
		
			Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
		
		
			Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.