Вышедшие номера
Энергетическая структура и рентгеновские спектры фенакита Be2SiO4
Шеин И.Р.1, Wilks R.2, Moewes A.2, Курмаев Э.З.3, Зацепин Д.А.3, Кухаренко А.И.4, Чолах С.О.4
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Department of Physics and Engineering Physics, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan, Canada
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
Email: shein@ihim.uran.ru
Поступила в редакцию: 21 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Представлены результаты исследования электронного строения кристаллического Be2SiO4 методом рентгеновской эмиссионной и абсорбционной спектроскопии (Be Kalpha XES, Be 1s XAS, Si L2,3 XES, Si 2p XAS, O Kalpha XES, O 1s XAS). Выполнен расчет зонной структуры ab initio полнопотенциальным методом присоединенных плоских волн (FLAPW), приведены полные и парциальные плотности состояний, дисперсионные зависимости. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости Be2SiO4 обусловлены преимущественно 2p-состояниями кислорода. Наименьший по энергии электронный переход возможен в центре зоны Бриллюэна. Оценены эффективные массы электронов (0.5me) и дырок (3.0me). Работа выполнена по плану РАН (тема N 01.2.006 13395) при частичной поддержке Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-41.92.2006.2), а также проектов РФФИ (гранты N 08-02-00046а и 08-02-00148а). PACS: 61.10.Ht, 61.50.Ah
  1. У. Брегг, Г. Кларингбулл. Кристаллографическая структура минералов. Мир, М. (1967). 390 с
  2. X. Bu, T.E. Gier, G.D. Stucky. Acta Cryst. C 52, 1601 (1996)
  3. Т.Ф. Веремейчик, Е.В. Жариков, К.А. Субботин. Кристаллография 48, 1042 (2003)
  4. Y. Hao, Y. Wang. J. Lumin. 122--123, 1006 (2007)
  5. L. El Mir, A. Amlouk, C. Barthou, S. Alaya. Physica B 388, 412 (2007)
  6. В.С. Кортов, И.Н. Шабанова, А.Ф. Зацепин, С.Ф. Ломаева, В.И. Ушкова, В.Я. Баянкин. Поверхность. Физика, химия, механика 2, 110 (1983)
  7. V.S. Kortov, A.F. Zatsepin, V.I. Ushkova. Phys. Chem. Miner. 12, 114 (1985)
  8. А.Ф. Зацепин, В.И. Ушкова, В.А. Калентьев. Поверхность. Физика, химия, механика 6, 100 (1990)
  9. Л.А. Благинина, А.Ф. Зацепин, А.И. Кухаренко, В.А. Пустоваров, Ю.Н. Новоселов, С.О. Чолах, В.Ю. Яковлев. Изв. вузов. Физика. Приложение C 10, 378 (2006)
  10. А.Ф. Зацепин, Л.А. Благинина, А.И. Кухаренко, В.А. Пустоваров, С.О. Чолах. ФТТ 49, 798 (2007)
  11. J.J. Jia, T.A. Callcott, J. Yurkas, A.W. Ellis, F.J. Himpsel, M.G. Samant, J. Stohr, D.L. Ederer, J.A. Carlisle, E.A. Hudson, L.J. Terminello, D.K. Shuh, R.C.C. Perera. Rev. Sci. Instrum. 66, 1394 (1995)
  12. P. Blaha, K. Schwarz, G.K.H. Madsen. WIEN2k. An Augmented plane wave plus local orbitals program for calculating crystal properties. Tech. Univ. Wien (2001)
  13. J.P. Perdew, S. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)
  14. J.W. Downs, G.V. Gibbs. Am. Mineralog. 72, 769 (1987)
  15. K. Schwarz, A. Neckel. Phys. Chem. Chem. Phys. 79, 1071 (1975)
  16. K. Schwarz, E. Wimmer. J. Phys. F: Metal Phys. 10, 1001 (1980)
  17. И.М. Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика. Наука, М. (1972). 640 с
  18. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводника. Наука, М. (1977). 672 с
  19. J.R. Chelikowsky, M. Schluter. Phys. Rev. B 15, 4020 (1977)
  20. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии. Изд-во ЛГУ, Л. (1988). 302 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.