Вышедшие номера
Эндотермический эффект при нагревании полупроводникового сульфида самария
Егоров В.М.1, Каминский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Обнаружен эффект теплопоглощения в температурной области возникновения термовольтаического эффекта в монокристалле сульфида самария (SmS). Показано, что ответственным за его появление является коллективный заброс электронов с донорных уровней в зону проводимости. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 07-08-00289) и ООО "Эс эм Эс-тензо" (Санкт-Петербург). PACS: 65.40.Ba, 72.80.Ga
  1. В.В. Каминский, Ю.Ф. Соломонов, В.М. Егоров, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов. ФТТ 18, 12, 3135 (1976)
  2. В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ФТТ 43, 4, 423 (2001)
  3. В.В. Каминский, М.М. Казанин. ЖТФ 34, 8, 92 (2008)
  4. А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. Наука, Л. (1973). 304 с
  5. В.В. Каминский, Л.М. Васильев, М.В. Романова, С.М. Соловьев. ФТТ 43, 6, 997 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.