Вышедшие номера
Электронные и упругие свойства сверхпроводящего наноламината Ti2InC
Шеин И.Р.1, Ивановский А.Л.1
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: ivanovskii@ihim.uran.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Ab initio полнопотенциальный метод FLAPW с обобщенной градиентной аппроксимацией локальной спиновой плотности использован для анализа электронных свойств и параметров упругости сверхпроводящего наноламината Ti2InC. В рамках единой схемы определены равновесные параметры кристаллической решетки, зонная структура, полная и парциальные плотности состояний, поверхность Ферми. Рассчитаны независимые коэффициенты упругости, модули объемного сжатия и сдвига, а также впервые проведены численные оценки параметров упругости для поликристаллического Ti2InC. Работа поддержана РФФИ (проект N 07-03-96061). PACS: 71.20.-b, 62.20.D-, 81.05.Je