Рассматривается метод определения зарядового состояния непарамагнитных дефектов в кремнии для дефектов, занимающих междоузельную позицию в кристаллической решетке и имеющих незаполненный остов, а также для парных дефектов, но с полностью заполненными остовными орбиталями. Обсуждается роль локальных эффектов в изменении положения маркирующего уровня в запрещенной зоне для дефектов, имеющих различное заполнение остовных орбиталей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.