Исследованы процессы отжига радиационных парамагнитных центров (РПЦ) и центров окраски (ЦО) в gamma-облученных монокристаллах KTiOPO₄ методами термолюминесценции (ТЛ), термостимулированных токов (ТСТ), ЭПР-спектроскопии и спектрофотометрии. Установлено, что полный отжиг всех РПЦ и восстановление оптического пропускания кристаллов во всем диапазоне прозрачности происходят при 430 K. Радиационно-термическая обработка кристаллов, заключающаяся в чередовании циклов "облучение (до 1· 10⁴ ГР) - отжиг (до 430 K)", приводит к полному подавлению ТЛ во всем интервале температур от 77 до 380 K. При этом не меняется ни природа центров захвата, ответственных за образование устойчивых выше 270 K РПЦ и ЦО, ни их количество. Неизменными при такой обработке остаются и центры люминесценции при T_комн - матричные Ti⁴⁺-центры. Показано, что пик ТЛ при 330±2 K связан с отжигом дырочных РПЦ типа PO₄^2--центров, а пик ТСТ при 360 K - с отжигом электронных Ti³⁺ - РПЦ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.