Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы строение и электронная структура Si-H и N-H связей в аморфном нитриде кремния (a-SiN_x:H). Определен заряд на атоме водорода в SiN-H связей Q^H =-0.35q. Установлено, что пики плотности состояний связующей sigma-орбитали Si-H дефекта расположены при энергиях 1.5, 4 и 10 эВ ниже верха валентной зоны. Обсуждается деградация запоминающих свойств нитрида кремния, обусловленная в поляронной модели разрывом Si-H и N-H связей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.