Вышедшие номера
Инвертированное распределение носителей по энергиям при протекании тока вдоль субмикронного полупроводникового слоя
Гуревич Ю.Г., Логвинов Г.Н., Юрченко В.Б.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Показано, что в полупроводниковых субмикронных пленках с обедненными приповерхностными слоями может реализоваться инвертированное распределение электронов по энергиям при протекании тока вдоль проводящего слоя и в условиях квазиупругого рассеяния носителей. Сформулированы общие критерии нарушения максвелловского вида симметричной части функции распределения электронов в тонких образцах. В массивном полупроводнике, находящемся в постоянном электрическом поле E0, функция распределения (ФР) электронов существенно зависит от механизмов рассеяния носителей и интенсивности межэлектронного взаимодействия. Эта зависимость определяется главным образом соотношениями между частотами рассеяния импульса и энергии nu(varepsilon), nu(varepsilon) и частотой электрон-электронных столкновений nuee(varepsilon), где varepsilon --- энергия электронов. Если, как это имеет место в большинстве случаев, nu>>nu, то рассеяние носит квазиупругий характер и анизотропия ФР мала [1].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.