Проведены исследования взаимодействий, сопровождающих адсорбцию молекул Н₂О и N₂ на поверхности монокристаллического Si. На основании анализа ИК-спектров пропускания делается заключение об образовании радикалов NH, NH₂ при 90-100 K, связанных межмолекулярной водородной связью, а также ионов H₂^-, NO⁺. Реакции с образованием последних протекают интенсивнее с повышением температуры. Нагрев образца до -10^oC=< T=<+10^oC приводит к исчезновению из спектра Si поглощения в поверхностном слое, что объясняется десорбцией.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.