Издателям
Вышедшие номера
Теория многофононного резонансного комбинационного рассеяния света в полупроводниках с равными эффективными массами электронов и дырок
Ланг И.Г., Павлов С.Т., Сотолонго Коста О.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Вычислено сечение многофононного резонансного комбинационного рассеяния света (МРКРС) в полупроводниках InBr и InI класса A3B7 в предположении равенства m=mh, где m (mh) --- эффективная масса электрона (дырки). Показано, что величина вклада в сечение свободных электронно-дырочных пар в качестве промежуточных состояний резко возрастает при переходе от случая неравных масс (как в полупроводниках A2B6) к случаю m=mh, а именно: при неравных массах sigmaN~alpha3, при равных sigmaN~alpha при N<=4, где alphaN --- сечение МРКРС N-гo порядка, alpha --- фрелиховская константа связи электронов (дырок) с LO фононами. Поэтому переход к случаю m-mh эквивалентен включению сильного магнитного поля, которое также приводит к увеличению интенсивности МРКРС в alpha-2 раз. Таким образом, предположение о m=mh позволяет объяснить обе основные особенности спектров МРКРС в InBr и InI: величину четных пиков по сравнению с величиной нечетных и чрезвычайно большое общее число наблюдаемых пиков, доходящее до N=20.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.