Вышедшие номера
Эффективные массы и g-факторы электронов в возбужденных состояниях в полупроводниках AIIIBV в Gamma-точке
Дымников В.Д.1, Константинов О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Dymnik@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Впервые в научной литературе получены численные оценки эффективных масс и g-факторов в возбужденных зонах проводимости в полупроводниках AIIIBV в Gamma-точке. Вычисления проведены с помощью нового, развитого авторами в предыдущих работах подхода, основанного на правилах сумм. PACS: 71.20.Nr, 71.18.+y
  1. В.Д. Дымников. ФТТ 43, 11, 1957 (2001)
  2. В.Д. Дымников. ФТТ 47, 4, 591 (2005)
  3. В.Д. Дымников, О.В. Константинов. ФТП 42, 8, 934 (2008)
  4. И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников. Наука, М. (1978)
  5. В.Д. Дымников, О.В. Константинов. ФТТ 51, 4, 000 (2009)
  6. Оптические свойства полупроводников / Под ред. Р. Уилларюсона, А. Бира. Мир, М. (1970)
  7. J.M. Luttinger. Phys. Rev. 102, 4, 1030 (1956)
  8. X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune, M. Pailard, P. Renucci, L.E. Golub, V.D. Dymnikov, E.L. Ivchenko. Phys. Rev. B 60, 8, 5811 (1999)
  9. Landol-Bornstein tables / Eds O. Madelung, M. Shuls, H. Weiss. Springer, Berlin (1982). V. 17a
  10. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.