Проведенные исследования структурных, магнитных и электрических свойств монокристаллов системы MnAs_1-xP_x (x =< 0.2) показали, что высокотемпературный фазовый переход 2-го рода на линии T_t является магнитным типа беспорядок-порядок, а последовательность структурно-магнитных фазовых переходов 1-го рода в температурном интервале от T_f' = 240 K до T_t = 350 K определяется упорядочением статических смещений атомов и магнитных моментов. Установлено, что магнитное состояние вещества во многом определяется дефектностью кристаллов. Сильно дефектные кристаллы характеризуются изотропным ферромагнитным состоянием, а для "идеальных" характерно антиферромагнитное упорядочение с модулированным H_a и угловым C расположением магнитных моментов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.