Исследовано поведение компонент тензора проводимости sigma_xx и sigma_xy двумерных (2D) носителей заряда (дырок) в аккумулирующем слое (АС) на поверхности (10(1)0) Te при гелиевых температурах в сильных магнитных полях до 10 Т (стационарный режим) и до 32 Т (импульсный режим). Обнаружены осцилляции sigma_xx(B) и sigma_xy(B) типа Шубникова-де Гааза (ШГ), обусловленные квантованием в магнитном поле спектра 2D-дырок. Анализ показал, что в АС существуют две размерно-квантованные подзоны с концентрациями 0.5· 10¹² и 4· 10¹² см^-2 и энергиями Ферми 3.2 и 44 мэВ соответственно. В первой из них обнаружено квантовомеханическое явление внутризонного магнитного пробоя, свидетельствующее о реализации гантелеобразных фермиевских траекторий для двумерных носителей. Определены параметры 2D-дырок в обеих подзонах. Отмечена сильная анизотропия спектра 2D-носителей заряда на различных кристаллографических поверхностях Te.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.