Определен необходимый для реализации суперионного перехода характер расположения локальных электронных уровней на дефектах. Получены условия перехода от собственной к собственно-дефектной электронной проводимости как в нормальном, так и в суперионном состояниях. Предложенный подход позволяет интерпретировать экспериментальные данные об изменении концентрации и типа свободных носителей при суперионном фазовом переходе, температуры перехода при подсветке образца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.