Предложена статистическая модель роста кристалла A₃B₅ в методах молекулярно-пучковой и миграционно-стимулированной эпитаксии. Приведены оценки используемых при моделировании констант для GaAs. На основании предложенной модели проведено исследование формирования границы раздела "кристалл-вакуум" в широком диапазоне условий роста для обоих методов. В каждом случае определены оптимальные условия роста. Проведено сравнение методов по критерию введенного параметра качества границы раздела. Показано достоинство метода миграционно-стимулированной эпитаксии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.