Издателям
Вышедшие номера
Роль триплетного состояния F2-центров в образовании F2--центров
Лисицына Л.А., Кравченко В.А., Рейтеров В.М.
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Методами импульсной спектрометрии с временным разрешением исследован механизм образования F2--центров в кристаллах LiF под действием импульсного электронного облучения. Установлено влияние температуры облучения, концентрации F2+- и F2-центров на эффективность образования F2--центров. Показано, что образование F2--центров происходит за время =<sssim 2· 10-8 с в основном синглетном состоянии в результате локализации электрона на F2-центре в триплетном состоянии и флип-эффекта. F2-центры в триплетном состоянии образуются по двум каналам: в результате радиационного возбуждения F2-центров и в процессе локализации электрона на F2+-центре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.