Методами импульсной спектрометрии с временным разрешением исследован механизм образования F₂^--центров в кристаллах LiF под действием импульсного электронного облучения. Установлено влияние температуры облучения, концентрации F₂⁺- и F₂-центров на эффективность образования F₂^--центров. Показано, что образование F₂^--центров происходит за время =<sssim 2· 10^-8 с в основном синглетном состоянии в результате локализации электрона на F₂-центре в триплетном состоянии и флип-эффекта. F₂-центры в триплетном состоянии образуются по двум каналам: в результате радиационного возбуждения F₂-центров и в процессе локализации электрона на F₂⁺-центре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.