Издателям
Вышедшие номера
Исследование фотоструктурных превращений в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников методом фотоэлектронной спектроскопии
Колобов А.В., Костиков Ю.П., Лантратова С.С., Любин В.М.
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Методом фотоэлектронной спектроскопии показано, что химический состав приповерхностной области свежеприготовленных пленок As2Se3, AsSe, As3Se2 одинаков. В циклах облучение-отжиг происходят обратимые изменения состава поверхности и значений энергии связей 3dSe, а также положения края валентной зоны (на 0.2 эВ), которое коррелирует с данными по фотопотемнению пленок. Сделан вывод о том, что структура и состав приповерхностной области пленок, а также фотоструктурные превращения в ней существенно отличаются от таковых в толще пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.