Издателям
Вышедшие номера
Влияние заряда глубокого центра на оптические переходы в валентную зону. II. Сравнение с экспериментом
Пахомов А.А., Полупанов А.Ф., Галиев В.И., Имамов Э.З.
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Исследовано влияние зарядового состояния глубокого примесного центра и электрон-фононного взаимодействия на спектральную и температурную зависимости сечения фотоионизации дефекта. Показано, что учет совместного влияния этих двух факторов позволяет объяснить наблюдаемый длинноволновый край примесного поглощения без привлечения эмпирических формул типа правила Урбаха.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.