Издателям
Вышедшие номера
Спектроскопия внутрицентровых переходов и экситонов кристалла TlGaS2-Nd2S3
Джафарова С.З., Рагимова Н.А., Абуталыбов Г.И., Натиг Б.А.
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Обнаружено взаимное влияние внутриатомного связанного с 4f-4f-электронными переходами между основным 4I9/2 и возбужденными состояниями 2G7/2; 4G5/2 иона Nd3+ и экситонного поглощения в монокристаллах TeGaS2, активированных соединением сесквисульфида неодима Nd2S3. На основании температурной, концентрационной зависимости коэффициента поглощения, а также исследований рентгеноструктурного анализа предложена модель возникновения локальных образований Nd3+ в TlGaS2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.