Обнаружено взаимное влияние внутриатомного связанного с 4f-4f-электронными переходами между основным ⁴I_9/2 и возбужденными состояниями ²G_7/2; ⁴G_5/2 иона Nd³⁺ и экситонного поглощения в монокристаллах TeGaS₂, активированных соединением сесквисульфида неодима Nd₂S₃. На основании температурной, концентрационной зависимости коэффициента поглощения, а также исследований рентгеноструктурного анализа предложена модель возникновения локальных образований Nd³⁺ в TlGaS₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.