Исследовано структурное совершенство двойных гетероструктур InAs_1-x-ySb_xP_y-InAs, перспективных для создания источников и приемников излучения в средней ИК-области спектра. Пленки получали методом жидкофазной эпитаксии в условиях высокой пластичности подложки. Исследование проводилось комплексом дифракционных методов, включающим в себя рентгеновскую топографию, трехкристальную дифрактометрию и просвечивающую электронную микроскопию. Для однослойных структур в области составов от x=0.077, y=0.222 до x=0.064, y=0.105 относительное изменение межплоскостного расстояния слой-подложка (Delta d/d) _normal меняется от -0.0018 до 0.0011. Установлено, что сетки дислокаций несоответствия в трехслойных гетероструктурах InAsSbP-InAs расположены на всех границах раздела и их плотность убывает более чем на порядок от 10⁴ см^-1 на первой границе слой-подложка к последней. Построено распределение составляющих (Delta d/d) _normal и (Delta d/d)_|| - перпендикулярной и параллельной границам раздела - по глубине образцов. Результаты интерпретируются в рамках представлений о дефектообразовании в полупроводниковых эпитаксиальных композициях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.