Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Локализованные электронные возбуждения в кристаллах фенакита Be₂SiO₄

Зацепин А.Ф.¹, Кухаренко А.И.¹, Пустоваров В.А.¹, Яковлев В.Ю.², Чолах С.О.¹

¹Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
²Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

Email: zats@dpt.ustu.ru

Поступила в редакцию: 10 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты комплексных спектроскопических исследований природы и свойств электронных возбуждений, локализованных на регулярных и дефектных узлах кристаллической решетки Be₂SiO₄. Использованы методы импульсной абсорбционной спектроскопии при возбуждении электронным пучком, импульсной катодолюминесценции и низкотемпературной ВУФ-спектроскопии при селективном возбуждении синхротронным излучением. Полосы в спектрах люминесценции Be₂SiO₄ при 2.7 и 3.15 eV приписаны [AlO₄]^5-- и [SiO₄]^4--центрам, возникающим как при непосредственной релаксации электронных возбуждений на дефектных уровнях, так и за счет образования экситонно-дефектных комплексов. В качестве причин образования оптически-активных центров с характерными полосами поглощения в области 1.5-4.0 eV рассматриваются нарушения бериллий-кислородных связей (короткоживущие дефекты в виде вакансий бериллия V_Be^-). Собственная люминесценция кристалла Be₂SiO₄ при 3.6 и 4.1 eV отнесена к излучательному распаду двух типов автолокализованных экситонов. Предложен механизм автолокализации экситонов на тетраэдрических группах [SiO₄] и [BeO₄] за счет передачи возбуждения от трехкоординированного атома кислорода на соседние атомы кремния или бериллия. Работа поддержана РФФИ (гранты N 07-02-12015-офи и 08-02-01072). PACS: 71.35.Aa, 78.60.Hk, 78.47.+p

Ч. Хан, М.А. Симонов, Н.В. Белов. Кристаллография 15, 3, 457 (1970)
X. Bu, T.E. Gier, G.D. Stucky. Acta Cryst. C 52, 1601 (1996)
Yan Hao, Yuhua Wang. J. Lumin. 122-123, 1006 (2007)
Т.Ф. Веремейчик, Е.В. Жариков, К.А. Субботин. Кристаллография 48, 6, 1042 (2003)
L. El Mir, A. Amlouk, C. Barthou, S. Alaya. Physica B 388, 412 (2007)
А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, В.И. Ушкова. ЖТФ 51, 10, 2105 (1981)
V.S. Kortov, A.F. Zatsepin, V.I. Uschkova. Phys. Chem. Minerals 12, 114 (1985)
А.Ф. Зацепин, В.И. Ушкова, В.А. Калентьев. Поверхность. Физика, химия, механика 6, 100 (1990)
А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, В.И. Ушкова, В.А. Калентьев. Поверхность. Физика, химия, механика 4, 43 (1992)
А.С. Марфунин. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. Недра. М. (1975). 327 с
А.Н. Таращан. Люминесценция минералов. Наук. думка, Киев (1978). 296 с
М.М. Асланукова, А.М. Хубиев, Е.Г. Семин. ЖПХ 53, 11, 2532 (1980)
R.M. Hazen, L.W. Finger. Phys. Chem. Minerals 14, 426 (1987)
Ю.П. Диков, И.А. Брытов, Ю.Н. Ромашенко, С.П. Долин. Особенности электронного строения силикатов. Наука, М. (1979). 128 с
И.Р. Шеин, R. Wilks, A. Moewes, Э.З. Курмаев, Д.А. Зацепин, А.И. Кухаренко, С.О. Чолах. ФТТ 50, 4, 594 (2008)
M. Kirm, G. Zimmerer, E. Feldbach, A. Lushchik, Ch. Lushshik, F. Savikhin. Phys. Rev. B 60, 1, 502 (1999)
Б.П. Гриценко, В.Ю. Яковлев, Г.Д. Лях, Ю.Н. Сафонов. Тез. Всесоюз. конф. по метрологии быстропротекающих процессов. М. (1978). С. 61
G. Zimmerer. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 308, 178 (1991)
R. Kibar, J. Garcia-Guinea, A. Cetin, S. Selvi, T. Karal, N. Can. Rad. Meas. 42, 1610 (2007)
H. Lozykowski, R.G. Wilson, F. Holuj. J. Chem. Phys. 51, 6, 2309 (1969)
А.Н. Новожилов, М.И. Самойлович, А.Н. Карачковская. ЖСХ 11, 3, 428 (1970)
L. Tomaz Filho, G.M. Ferraz, S. Watanabe. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 229, 2, 253 (2005)
Ш.А. Вахидов, З.М. Гасанов, М.И. Самойлович, У. Яркулов. Радиационные эффекты в кварце. Фан, Ташкент (1975). 188 с
Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. Наука, М. (1989). 264 с
С.В. Горбунов, В.Ю. Яковлев. ФТТ 47, 4, 603 (2005)
Б.П. Гриценко, В.М. Лисицын. ФТТ 27, 7, 2214 (1985)
А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, В.А. Калентьев, В.И. Ушкова. ФТТ 30, 5, 1305 (1988)
Л.А. Благинина, А.Ф. Зацепин, А.И. Кухаренко, В.А. Пустоваров, Ю.Н. Новоселов, С.О. Чолах, В.Ю. Яковлев. Изв. вузов. Физика 49, 10 (Приложение), 378 (2006)
В.Ю. Иванов, В.А. Пустоваров, Е.С. Шлыгин, А.В. Коротаев, А.В. Кружалов. ФТТ 47, 3, 452 (2005)
А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO₂. Зинатне, Рига (1985). 244 с
П.Б. Сорокин, А.С. Федоров, Л.А. Чернозатонский. ФТТ 48, 2, 373 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель