Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Локализованные электронные возбуждения в кристаллах фенакита Be2SiO4
1Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: zats@dpt.ustu.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
Представлены результаты комплексных спектроскопических исследований природы и свойств электронных возбуждений, локализованных на регулярных и дефектных узлах кристаллической решетки Be2SiO4. Использованы методы импульсной абсорбционной спектроскопии при возбуждении электронным пучком, импульсной катодолюминесценции и низкотемпературной ВУФ-спектроскопии при селективном возбуждении синхротронным излучением. Полосы в спектрах люминесценции Be2SiO4 при 2.7 и 3.15 eV приписаны [AlO4]5-- и [SiO4]4--центрам, возникающим как при непосредственной релаксации электронных возбуждений на дефектных уровнях, так и за счет образования экситонно-дефектных комплексов. В качестве причин образования оптически-активных центров с характерными полосами поглощения в области 1.5-4.0 eV рассматриваются нарушения бериллий-кислородных связей (короткоживущие дефекты в виде вакансий бериллия VBe-). Собственная люминесценция кристалла Be2SiO4 при 3.6 и 4.1 eV отнесена к излучательному распаду двух типов автолокализованных экситонов. Предложен механизм автолокализации экситонов на тетраэдрических группах [SiO4] и [BeO4] за счет передачи возбуждения от трехкоординированного атома кислорода на соседние атомы кремния или бериллия. Работа поддержана РФФИ (гранты N 07-02-12015-офи и 08-02-01072). PACS: 71.35.Aa, 78.60.Hk, 78.47.+p
- Ч. Хан, М.А. Симонов, Н.В. Белов. Кристаллография 15, 3, 457 (1970)
- X. Bu, T.E. Gier, G.D. Stucky. Acta Cryst. C 52, 1601 (1996)
- Yan Hao, Yuhua Wang. J. Lumin. 122-123, 1006 (2007)
- Т.Ф. Веремейчик, Е.В. Жариков, К.А. Субботин. Кристаллография 48, 6, 1042 (2003)
- L. El Mir, A. Amlouk, C. Barthou, S. Alaya. Physica B 388, 412 (2007)
- А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, В.И. Ушкова. ЖТФ 51, 10, 2105 (1981)
- V.S. Kortov, A.F. Zatsepin, V.I. Uschkova. Phys. Chem. Minerals 12, 114 (1985)
- А.Ф. Зацепин, В.И. Ушкова, В.А. Калентьев. Поверхность. Физика, химия, механика 6, 100 (1990)
- А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, В.И. Ушкова, В.А. Калентьев. Поверхность. Физика, химия, механика 4, 43 (1992)
- А.С. Марфунин. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. Недра. М. (1975). 327 с
- А.Н. Таращан. Люминесценция минералов. Наук. думка, Киев (1978). 296 с
- М.М. Асланукова, А.М. Хубиев, Е.Г. Семин. ЖПХ 53, 11, 2532 (1980)
- R.M. Hazen, L.W. Finger. Phys. Chem. Minerals 14, 426 (1987)
- Ю.П. Диков, И.А. Брытов, Ю.Н. Ромашенко, С.П. Долин. Особенности электронного строения силикатов. Наука, М. (1979). 128 с
- И.Р. Шеин, R. Wilks, A. Moewes, Э.З. Курмаев, Д.А. Зацепин, А.И. Кухаренко, С.О. Чолах. ФТТ 50, 4, 594 (2008)
- M. Kirm, G. Zimmerer, E. Feldbach, A. Lushchik, Ch. Lushshik, F. Savikhin. Phys. Rev. B 60, 1, 502 (1999)
- Б.П. Гриценко, В.Ю. Яковлев, Г.Д. Лях, Ю.Н. Сафонов. Тез. Всесоюз. конф. по метрологии быстропротекающих процессов. М. (1978). С. 61
- G. Zimmerer. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 308, 178 (1991)
- R. Kibar, J. Garcia-Guinea, A. Cetin, S. Selvi, T. Karal, N. Can. Rad. Meas. 42, 1610 (2007)
- H. Lozykowski, R.G. Wilson, F. Holuj. J. Chem. Phys. 51, 6, 2309 (1969)
- А.Н. Новожилов, М.И. Самойлович, А.Н. Карачковская. ЖСХ 11, 3, 428 (1970)
- L. Tomaz Filho, G.M. Ferraz, S. Watanabe. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 229, 2, 253 (2005)
- Ш.А. Вахидов, З.М. Гасанов, М.И. Самойлович, У. Яркулов. Радиационные эффекты в кварце. Фан, Ташкент (1975). 188 с
- Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. Наука, М. (1989). 264 с
- С.В. Горбунов, В.Ю. Яковлев. ФТТ 47, 4, 603 (2005)
- Б.П. Гриценко, В.М. Лисицын. ФТТ 27, 7, 2214 (1985)
- А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, В.А. Калентьев, В.И. Ушкова. ФТТ 30, 5, 1305 (1988)
- Л.А. Благинина, А.Ф. Зацепин, А.И. Кухаренко, В.А. Пустоваров, Ю.Н. Новоселов, С.О. Чолах, В.Ю. Яковлев. Изв. вузов. Физика 49, 10 (Приложение), 378 (2006)
- В.Ю. Иванов, В.А. Пустоваров, Е.С. Шлыгин, А.В. Коротаев, А.В. Кружалов. ФТТ 47, 3, 452 (2005)
- А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO2. Зинатне, Рига (1985). 244 с
- П.Б. Сорокин, А.С. Федоров, Л.А. Чернозатонский. ФТТ 48, 2, 373 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
