В спектрах фотопроводимости слоистых полупроводников InSe, GaSe и GaS в глубине края фундаментального поглощения обнаружены экситонные состояния, проявляющиеся в виде резких минимумов фототока. Большая энергия связи, малый боровский радиус, слабое участие в процессах фотопроводимости позволяют отнести их к типу экситонов с переносом заряда. Показано, что слоистая кристаллическая структура приводит к возможности существования двух различных типов экситонов в слоистых полупроводниках: обычных" экситонов Ванье-Мотта вблизи края поглощения и экситонов с переносом заряда в глубине поглощения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.