Вышедшие номера
Аккумуляционный нанослой --- 2D-электронный канал ультратонких интерфейсов Cs/n-InGaN
Бенеманская Г.В.1, Жмерик В.Н.1, Лапушкин М.Н.1, Тимошнев С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Обнаружено формирование 2D-электронного канала - зарядового аккумуляционного слоя на поверхности InGaN(0001) n-типа при адсорбции субмонослойных покрытий Cs. Найдено, что фотоэмиссия из аккумуляционного слоя возбуждается светом из области прозрачности InGaN. Установлено, что глубиной потенциальной ямы и плотностью электронных состояний аккумуляционного слоя можно целенаправленно управлять за счет изменений Cs-покрытий. Показано, что в аккумуляционном слое наблюдаются эффекты размерного квантования. Проведены расчеты матричного элемента фотоэмиссии, получены энергетические параметры аккумуляционного слоя. В спектрах фотоэмиссии из аккумуляционного слоя обнаружена осцилляционная структура, природа которой связана с интерференцией Фабри-Перо. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 07-02-00510 а), программы Президиума РАН П-03 (грант N 2.10 а) и Фонда содействия отечественной науке. PACS: 73.20.-r, 73.21.Fg, 79.60.Dp
  1. M.G. Betti, R. Biagi, U. del Pennino, N. Mariani, M. Pedio. Phys Rev. B 53, 13 605 (1996)
  2. L. Olsson, C.B.M. Andersson, M.C. Hakansson, J. Kanski, L. Ilver, U.O. Karlsson. Phys. Rev. Lett. 76, 3626 (1996)
  3. V.Yu. Aristov, G. Le Lay, V.M. Zhilin, G. Indlekofer, C. Grupp, A. Taleb-Inrahimi, P. Soukiassian. Phys. Rev. B 60, 7752 (1999)
  4. M.G. Betti, V. Corradini, G. Bertoni, P. Cassarini, C. Mariani, A. Abramo. Phys. Rev. B 63, 155 315 (2001)
  5. G.R. Bell, T.S. Jones, C.F. McConville. Appl. Phys. Lett. 71, 3688 (1997)
  6. I. Mahbood, T.D. Veal, L.F.J. Piper, C.F. McConville. Phys. Rev. B 69, 201 307 (2004)
  7. T.D. Veal, P.H. Jefferson, L.F.J. Piper, C.F. McConville, T.B. Joyce, P.R. Chalker. Appl. Phys. Lett., 89, 202 110 (2006)
  8. G.V. Benemanskaya, V.S. Vikhnin, N.M. Shmidt, G.E. Frank-Kamenetskaya, I.V. Afanasiev. Appl. Phys. Lett. 85, 1365 (2004)
  9. Г.В. Бенеманская, Г.Э. Франк-Каменецкая, Н.М. Шмидт. ЖЭТФ 130, 506 (2006)
  10. Г.В. Бенеманская, М.Н. Лапушкин, С.Н. Тимошнев. ФТТ 49, 613 (2007)
  11. G.V. Benemanskaya, S.V. Ivanov, M.N. Lapushkin. Solid State Commun. 143, 476 (2007)
  12. S.V. Ivanov, V.N. Jmerik, T.V. Shubina. J. Cryst. Growth 301, 465 (2007)
  13. В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, А.М. Шубина. ФТП 42, 630 (2008)
  14. V.-H. Kim, S.-N. Lee, Ch. Huh. Phys. Rev. B 61, 10 966 (1999)
  15. Г.В. Бенеманская, М.Н. Лапушкин, М.И. Урбах. ЖЭТФ 102, 1664 (1992)
  16. A. Liebsch, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin. Surf. Sci. 302, 303 (1994)
  17. И.В. Афанасьев, Г.В. Бенеманская, Г.Э. Франк-Каменецкая, В.С. Вихнин, Н.М. Шмидт. Патент РФ на изобретение N 2249877 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.