Вышедшие номера
Аккумуляционный нанослой --- 2D-электронный канал ультратонких интерфейсов Cs/n-InGaN
Бенеманская Г.В.1, Жмерик В.Н.1, Лапушкин М.Н.1, Тимошнев С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Обнаружено формирование 2D-электронного канала - зарядового аккумуляционного слоя на поверхности InGaN(0001) n-типа при адсорбции субмонослойных покрытий Cs. Найдено, что фотоэмиссия из аккумуляционного слоя возбуждается светом из области прозрачности InGaN. Установлено, что глубиной потенциальной ямы и плотностью электронных состояний аккумуляционного слоя можно целенаправленно управлять за счет изменений Cs-покрытий. Показано, что в аккумуляционном слое наблюдаются эффекты размерного квантования. Проведены расчеты матричного элемента фотоэмиссии, получены энергетические параметры аккумуляционного слоя. В спектрах фотоэмиссии из аккумуляционного слоя обнаружена осцилляционная структура, природа которой связана с интерференцией Фабри-Перо. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 07-02-00510 а), программы Президиума РАН П-03 (грант N 2.10 а) и Фонда содействия отечественной науке. PACS: 73.20.-r, 73.21.Fg, 79.60.Dp