Вышедшие номера
Влияние легирования Eu на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN
Криволапчук В.В.1, Мездрогина М.М.1, Кузьмин Р.В.2, Даниловский Э.Ю.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad.krivol@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Определена корреляция между спектрами фотолюминесценции и структурными параметрами наноструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaAs/AlGaAs, легированных Eu. Показано, что внедрение редкоземельных ионов (РЗИ) приводит к появлению деформаций решетки (как правило, сжатия). В достаточно совершенных структурах в процессе миграции возбуждения происходит перенос неравновесных носителей на атомные уровни 5D2-5D0 иона Eu. В менее соверешнных структурах внедрение РЗИ приводит к образованию изовалентных ловушек в слоях GaN, которые эффективно захватывают неравновесные носители, в результате чего интенсивность фотолюминесценции структуры возрастает на порядок. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 02-07-00854 и программы Президиума РАН "Низкокоррелированные системы". PACS: 78.67.De, 78.55.Cr, 61.72.Vv